పోరస్ గ్రాఫైట్

పోరస్ గ్రాఫైట్‌ను ప్రధానంగా PVT (ఫిజికల్ వేపర్ ట్రాన్స్‌ఫర్) సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్‌లో ఉపయోగిస్తారు, ఇది అధిక ఉష్ణోగ్రత థర్మల్ ఫీల్డ్ సిస్టమ్‌కు కీలకమైన పదార్థం. ఈ ఉత్పత్తి అత్యంత స్వచ్ఛమైన ఐసోస్టాటికల్లీ ప్రెస్డ్ గ్రాఫైట్‌తో తయారు చేయబడింది. ఇది ప్రెసిషన్ CNC మెషీనింగ్ మరియు పోర్ కంట్రోల్ టెక్నాలజీ ద్వారా ఏకరీతి మరియు నియంత్రించదగిన పోరస్ నిర్మాణాన్ని ఏర్పరుస్తుంది, ఇది తీవ్రమైన ప్రాసెస్ పరిస్థితులలో (2200℃) అద్భుతమైన పనితీరును అందిస్తుంది. దీని ప్రత్యేకమైన డిజైన్ థర్మల్ ఫీల్డ్ ఏకరూపతను గణనీయంగా మెరుగుపరుస్తుంది మరియు గ్యాస్ ఫేజ్ ట్రాన్స్‌ఫర్ సామర్థ్యాన్ని ఆప్టిమైజ్ చేస్తుంది, ఇది అధిక-నాణ్యత SiC క్రిస్టల్ గ్రోత్‌కు కీలకమైన హామీ.

ప్రధాన లక్షణాలు మరియు ప్రక్రియ ప్రయోజనాలు:

అత్యంత స్వచ్ఛత మరియు తక్కువ లోప రేటు

ఆక్సిజన్ మరియు నైట్రోజన్ వంటి అలోహ మలినాల పరిమాణాన్ని మరింత తగ్గించడానికి వాక్యూమ్ అధిక-ఉష్ణోగ్రత శుద్ధీకరణ ప్రక్రియ (3000℃ వద్ద శుద్ధి) ఉపయోగించబడుతుంది. SiC ఏక స్ఫటికాల విద్యుత్ పనితీరు స్థిరత్వాన్ని నిర్ధారించడానికి, మలినాల వల్ల కలిగే స్ఫటిక లోపాలను (మైక్రోట్యూబ్యూల్స్, డిస్‌లొకేషన్స్ వంటివి) తొలగించడం జరుగుతుంది.

అత్యధిక ఉష్ణోగ్రత స్థిరత్వం మరియు ఉష్ణ క్షేత్ర నియంత్రణ

ఆర్గాన్/వాక్యూమ్ వాతావరణంలో, ఇది 2200℃ వద్ద 1000 గంటలకు పైగా నిరంతరాయంగా పనిచేయగలదు, తక్కువ ఉష్ణ వ్యాకోచ గుణకాన్ని కలిగి ఉంటుంది మరియు ఉష్ణ ఒత్తిడి వలన పదార్థం పగలడాన్ని నివారిస్తుంది.

రంధ్రాల పరిమాణాన్ని (10-200μm) ఆప్టిమైజ్ చేయడానికి, ఉష్ణ క్షేత్ర పంపిణీని కచ్చితంగా నియంత్రించడానికి, ఉష్ణోగ్రత ప్రవణత హెచ్చుతగ్గులను (±3℃ లోపల) తగ్గించడానికి మరియు స్ఫటిక పెరుగుదల ఏకరూపతను మెరుగుపరచడానికి, CFD అనుకరణతో కలిపి, సచ్ఛిద్రత ప్రవణత పంపిణీ రూపకల్పనకు మద్దతు ఇస్తుంది.

అనుకూలీకరించిన పరిష్కారాలు

జ్యామితీయ అనుసరణ: కస్టమర్ కొలిమి నిర్మాణానికి సరిపోలుతూ, సంక్లిష్ట ఆకృతులను (ఉదాహరణకు వలయాకార మూస, బహుళ-పొరల కవచం) ప్రాసెస్ చేయడానికి మద్దతు ఇస్తుంది.

ఉపరితల శుద్ధి: తుప్పు నిరోధకతను మరియు సేవా జీవితాన్ని మెరుగుపరచడానికి అత్యంత కచ్చితమైన పాలిషింగ్ లేదా కోటింగ్ సేవలను అందించండి.

అప్లికేషన్ పనితీరు ధృవీకరణ

PVT SiC స్ఫటికీకరణ ప్రక్రియలో, మూస మరియు ఉష్ణ క్షేత్ర భాగం వలె:

(సాంప్రదాయ గ్రాఫైట్‌తో పోలిస్తే) స్ఫటిక వృద్ధి రేటును 15%-20% పెంచండి;

వేఫర్ దిగుబడి 90% కంటే ఎక్కువగా పెరిగింది (4 అంగుళాల SiC సింగిల్ క్రిస్టల్);

పరికరాల నిర్వహణ కాలాన్ని 6 నెలలకు పొడిగించడం జరిగింది (సాధారణ 3 నెలలు).

త్వరిత వివరాలు:

1. ఇతర పేర్లు: PVT గ్రాఫైట్ క్రూసిబుల్, పోరస్ గ్రాఫైట్‌తో సిలికాన్ కార్బైడ్ పెరుగుదల.

2. అనువర్తనం: PVT పద్ధతి (భౌతిక వాయు రవాణా పద్ధతి) SiC సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ కోర్ థర్మల్ ఫీల్డ్ కాంపోనెంట్.

3. ప్రధాన పారామితులు: స్వచ్ఛత ≥99.9995%, సచ్ఛిద్రత 15-30%, ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత 2200℃ (జడ వాయు వాతావరణం), ఉష్ణ వాహకత 100-150 W/m·K.

PVT గ్రోత్ ఫర్నేస్ అసెంబ్లీ: SiC పదార్థం యొక్క ఉత్పతనం మరియు స్ఫటిక వృద్ధిలో భాగంగా, ఇది స్థిరమైన ఉష్ణ క్షేత్ర పంపిణీని అందిస్తుంది.

ఉష్ణ క్షేత్ర రక్షణ భాగం: రంధ్రాల నిర్మాణం ఉష్ణ ఒత్తిడిని సమర్థవంతంగా తగ్గిస్తుంది మరియు పరికరాల సేవా జీవితాన్ని పొడిగిస్తుంది.

సీడ్ క్రిస్టల్ బ్రాకెట్: సీడ్ క్రిస్టల్‌కు మద్దతు ఇవ్వడానికి, క్రిస్టల్ యొక్క దిశానిర్దేశిత పెరుగుదలను నిర్ధారించడానికి అధిక యాంత్రిక బలం.

వాయు వ్యాపన పొర: వాయు దశ బదిలీ సామర్థ్యాన్ని ఆప్టిమైజ్ చేస్తుంది, ఏక స్ఫటికం నాణ్యతను మరియు పెరుగుదల రేటును మెరుగుపరుస్తుంది.

అత్యధిక ఉష్ణోగ్రత పనితీరు: 2200℃ వద్ద మెత్తబడి ఆకారం మారదు, 1000 గంటలకు పైగా నిరంతర స్థిరమైన పనితీరుకు మద్దతు ఇస్తుంది.

కస్టమ్ థర్మల్ ఫీల్డ్ డిజైన్: పోర్ గ్రేడియంట్‌ను ఆప్టిమైజ్ చేయడానికి, క్రిస్టల్ ఏకరూపత మరియు దిగుబడిని మెరుగుపరచడానికి CFD సిమ్యులేషన్‌తో కలిపి ఉంటుంది.

వేగవంతమైన పునరావృత సేవ: ప్రక్రియ పారామీటర్ సరిపోలిక పరీక్షను అందించి, 72 గంటలలోపు నమూనా పరిష్కారాన్ని అందజేయడం.